图书介绍

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无机半导体物理
  • 武明堂，周晓华主编 著
  • 出版社： 西安：西安交通大学出版社
  • ISBN：7560506704
  • 出版时间：1995
  • 标注页数：198页
  • 文件大小：51MB
  • 文件页数：206页
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图书目录

第一章 半导体中的电子状态1

1-1 能带的形成1

1-2 电子、空穴的有效质量5

1-3 半导体的能带结构8

1-4 半导体中杂质与缺陷能级12

主要参考文献18

第二章 热平衡载流子19

2-1 热平衡载流子19

2-2 掺杂半导体的载流子浓度23

2-3 费米能级与杂质浓度和温度的关系27

2-4 简并半导体28

2-5 迁移率与杂质浓度和温度的关系30

2-6 电阻率33

2-7 霍耳效应35

主要参考文献37

第三章 非平衡载流子38

3-1 非平衡载流子及其寿命38

3-2 非平衡载流子的复合机制42

3-3 陷阱效应49

3-4 非平衡载流子的运动51

主要参考文献57

第四章 半导体表面、界面及接触现象58

4-1 半导体表面效应58

4-2 p-n结66

4-3 金属半导体接触74

4-4 半导体异质结和超晶格78

主要参考文献86

第五章 金属氧化物半导体基础88

5-1 金属氧化物的晶体结构和能带结构88

5-2 金属氧化物晶体中的点缺陷95

5-3 质量作用定律100

5-4 平衡点缺陷浓度与氧分压的关系101

5-5 平衡点缺陷浓度与温度的关系111

5-6 非化学计算金属氧化物量112

5-7 金属氧化物晶体中的输运现象116

主要参考文献120

第六章 典型金属氧化物及其物理效应122

6-1 氧化锌半导瓷及其物理效应122

6-2 BaTiO3半导瓷及PTC效应129

6-3 SrTiO3半导瓷及电容—压敏效应136

6-4 SnO2、TiO2氧化物及气敏特性139

6-5 过渡金属氧化物及NTC效应144

主要参考文献148

第七章 化合物半导体149

7-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体149

7-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物半导体155

7-3 Ⅳ-Ⅵ族化合物半导体164

主要参考文献165

第八章 非晶态半导体167

8-1 非晶态半导体的结构167

8-2 非晶态半导体中的电子态172

8-3 非晶态半导体的电性质174

8-4 非晶态半导体的光学性质180

8-5 非晶态半导体的应用185

主要参考文献186

各章习题与思考题188

附表1 主要参数符号表191

附表2 常用物理常数表193

附表3 半导体材料物理性质表194

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