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第一章 硅的晶体结构1

1.1 硅晶体结构的特点1

1.2 晶向、晶面和堆积模型3

1.3 硅晶体中的缺陷8

1.4 硅中杂质12

1.5 杂质在硅晶体中的溶解度15

参考文献17

第二章 氧化18

2.1 SiO2的结构及性质18

2.2 siO2的掩蔽作用21

2.3 硅的热氧化生长动力学24

2.4 决定氧化速率常数和影响氧化速率的各种因素30

2.5 热氧化过程中的杂质再分布37

2.6 初始氧化阶段以及薄氧化层的生长41

2.7 si-SiO2界面特性46

参考文献51

第三章 扩散55

3.1 杂质扩散机构55

3.2 扩散系数与扩散方程57

3.3 扩散杂质的分布59

3.4 影响杂质分布的其他因素63

3.5 扩散工艺72

3.6 扩散工艺的发展75

参考文献76

第四章 离子注入79

4.1 核碰撞和电子碰撞80

4.2 注入离子在无定形靶中的分布84

4.3 注入损伤91

4.4 热退火94

参考文献99

第五章 物理气相淀积101

5.1 真空蒸发法制备薄的基本原理101

5.2 蒸发源104

5.3 气体辉光放电107

5.4 溅射112

参考文献121

第六章 化学气相淀积122

6.1 CVD模型122

6.2 化学气相淀积系统128

6.3 CVD多晶硅的特性和淀积方法134

6.4 CVD二氧化硅的特性和淀积方法138

6.5 CVD氮化硅的特性及淀积方法145

6.6 金属的化学气相淀积149

参考文献156

第七章 外延159

7.1 硅气相外延的基本原理160

7.2 外延层中的杂质分布166

7.3 低压外延170

7.4 选择外延171

7.5 硅烷热分解法外延173

7.6 SOS技术174

7.7 分子束外延175

7.8 层错、图形漂移及利用层错法测量厚度177

7.9 外延层电阻率的测量180

参考文献182

第八章 光刻与刻蚀工艺183

8.1 光刻工艺流程184

8.2 分辨率189

8.3 光刻胶的基本属性191

8.4 多层光刻胶工艺196

8.5 抗反射涂层工艺199

8.6 紫外光曝光201

8.7 掩模版的制造207

8.8 X射线曝光209

8.9 电子束直写式曝光212

8.1 0ULSI对图形转移的要求215

8.11 湿法腐蚀216

8.12 干法刻蚀技术218

8.13 刻蚀速率225

参考文献229

9.1 集成电路对金属化材料特性的要求232

第九章 金属化与多层互连232

9.2 铝在集成电路技术中的应用235

9.3 铜及低K介质242

9.4 多晶硅及硅化物250

9.5 大规模集成电路与多层互连260

参考文献270

第十章 工艺集成273

10.1 集成电路中的隔离273

10.2 CMOS集成电路的工艺集成277

10.3 双极集成电路的工艺集成287

10.4 BiCMOS的工艺集成292

参考文献295

附录297

附录1 常用金属元素材料及其电学特性297

附录2 金属硅化物、金属合金的电学特性297

附录3 常用的金属材料和合金的晶格结构参数298

附录4 半导体材料的晶格结构参数299

附录5 金属材料薄膜在硅衬底上的晶格常数失配因子299

附录6 常用的半导体和绝缘介质的电学特性300

附录7 铝、铜、金合金电阻率随杂质原子数比的变化率300

附录8 物理常数301

附录9 部分常用材料的性质302

附录10 硅片鉴别方法（SEMI*303标准）缩略语及物理量304