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第一章 引言1

1.1 微波功率器件的研究背景1

1.2 硅双极微波功率器件的发展6

1.3 国内外研究现状10

1.4 本书内容来源与安排12

第二章 双层多晶硅微波功率管的横向参数与纵向参数设计16

2.1 本章概要16

2.2 硅双极微波功率晶体管的工作原理及主要参数16

2.3 器件指标21

2.4 器件设计22

2.4.1 外延材料的选择22

2.4.2 器件纵向参数设计24

2.4.3 器件横向参数设计25

2.5 微波功率器件的版图设计28

2.5.1 器件版图的结构28

2.5.2 覆盖式与梳状版图结构图形优值比较36

2.5.3 光刻掩模版的编号、名称、次序及最小尺寸38

2.5.4 器件的测试结构39

2.6 本章小结39

第三章 器件特性的模拟分析42

3.1 本章概要42

3.2 双层多晶硅微波功率管的电学特性模拟42

3.3 提升器件击穿电压的槽终端技术50

3.3.1 器件槽终端技术的发展52

3.3.2 槽深对击穿电压的影响54

3.3.3 槽宽对击穿电压的影响56

3.3.4 槽中填充物对击穿电压的影响59

3.3.5 深槽终端技术与其他终端技术的比较61

3.4 功率管多子胞技术62

3.4.1 器件的三维热电耦合模型64

3.4.2 器件的发射极布局69

3.4.3 结果的分析与讨论70

3.5 本章小结79

第四章 镍硅化物薄膜的热稳定性及其应用研究81

4.1 本章摘要81

4.2 硅化物的发展过程82

4.3 NiSi的热稳定性的研究88

4.4 掺Pt， Mo， W， Zr和Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善92

4.4.1 掺Pt对NiSi薄膜热稳定性的改善92

4.4.2 掺Mo对NiSi薄膜热稳定性的改善98

4.4.3 掺W对NiSi薄膜热稳定性的改善101

4.4.4 掺Zr对NiSi薄膜热稳定性的改善107

4.4.5 掺Ta对NiSi薄膜热稳定性的改善113

4.5 镍硅化物热稳定性的理论研究118

4.6 Ni（M）Si/Si肖特基器件的应用研究122

4.6.1 Ni（M）Si/Si肖特基器件的设计123

4.6.2 肖特基器件的工艺流程125

4.6.3 NiSi/Si（Cap Ti）肖特基器件的电学特性126

4.6.4 Ni（Pt）Si/Si，Ni（Mo） Si/Si，Ni（W） Si/Si，Ni（Zr） Si/Si和Ni（Ta） Si/Si器件的电学特性研究128

4.7 NiSi与Ni（Pt）Si，N i （Mo） Si，Ni（W）Si，Ni （Zr） Si和 Ni（Ta）Si热稳定性的比较138

4.8 本章小结140

第五章 关键工艺技术的研究142

5.1 本章概要142

5.2 硅深槽隔离技术研究142

5.3 外基区的形成以及侧墙-发射极的形成147

5.3.1 外基区的形成147

5.3.2 基区侧墙的形成149

5.3.3 发射极的形成151

5.4 自对准钴硅化物引线技术155

5.5 本章小结156

第六章 器件制造流程157

6.1 本章概要157

6.2 器件的结构特点和工艺特点157

6.3 器件的工艺流程157

6.4 工艺流片中的注意事项162

6.5 本章小结164

第七章 微波功率器件的测试与分析165

7.1 本章概要165

7.2 器件的直流参数测试165

7.3 深槽击穿特性的合格率测试171

7.4 器件的热性能测试172

7.5 器件的微波特性测试结果176

7.6 本章小结177

第八章 射频/微波功率器件的最新发展178

8.1 本章概要178

8.2 微波功率器件的主要领域178

8.2.1 无线通信领域178

8.2.2 军用电子系统和雷达180

8.2.3 医疗电子180

8.3 RF——LDMOS技术的发展180

8.3.1 RF—— LDMOS的关键参数183

8.3.2 RF——LDMOS的新结构器件184

8.4 AlGaN/GaN HEMT毫米波技术189

8.4.1 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的起源189

8.4.2 AlGaN/GaN HEMT高电子迁移率器件毫米波功率技术的发展191

8.5 本章小结195

参考文献196