图书介绍
微处理机·微算机原理与应用 计算机基本原理2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载
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- 林锦坤,林铭波编著 著
- 出版社: 全华科技图书股份有限公司
- ISBN:
- 出版时间:1984
- 标注页数:349页
- 文件大小:6MB
- 文件页数:364页
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图书目录
目录1
导论1
-1 计算机的一般结构 21
-2 计算机的发展 41
-6-5 Hollerith码 482
-6-4 8数元码 452
-6-3 7字元码 412
-6-2 6字元码 412
-6-1 5字元码 402
-6 文数字码 392
-5-4 格雷码转换为二进码 382
-5-3 二进码转换为格雷码 372
-5-2 非加权性数码 362
-5-1 加权性数码 352
-5 BCD码 342
-4-5 十六进制→八进制 342
-4-2 十六进制→二进制 322
-4-1 二进制→十六进制 322
数目系统与数字码系统2
习题 182
参考资料 182
-5-3 同步BCD计数器 823
-5-2 同步二进位正数——倒数计器 813
-5-1 同步二进位计数器 813
-5 同步计数器 803
-5-4 具有并行载入的二进位计数器 823
-4-1 二进位涟波计数器 773
-4 涟波计数器 773
-3-5 并行载入双向移位暂存器 753
-3-4 资讯的串列转移 723
-3-3 移位暂存器 723
-6 解码器与解多工器 863
-6-1 解码器(数码转换器) 863
-6-2 解多工器 893
-6-3 编码器 903
-7 多工器与多工暂存器 923
-8 时序电路 953
-8-1 语句时间产生电路 953
-8-2 时序产生器 963
-8-3 詹森计数器 983
-4-2 BCD涟波计数器 793
-1-5 互斥或闸(XOR闸) 543
参考资料 483
习题 483
数位电路基础3
-1 基本逻辑闸电路 513
-1-1 OR与NOR闸 513
-1-2 AND与NAND闸 533
-1-3 NOT闸 533
-1-4 布林代数的基本性质 543
-3-2 并行载入暂存器 693
-1-6 逻辑闸的等效 573
-1-7 三态逻辑闸电路 593
-2 正反器 603
-2-2 J-K正反器 623
-2-3 T型正反器 633
-2-4 D型正反器 643
-2-5 锁定电路 643
-3 暂存器 653
-3-1 暂存器与锁定电路 663
-2-5 浮点表示法 1194
-3 BCD加法与其电路 1224
-4 二进制的乘法运算与电路 1254
-5 二进制的除法运算与电路 1304
-5-1 恢复式除法 1314
-5-2 非恢复式除法 1334
-2-4 定点表示法 1184
-6 逻辑运算 1344
-6-1 基本逻辑运算 1344
-6-2 移位运算 1354
-6-3 比较器 1374
-6-4 错误侦测电路 1444
-7 MSI—算术逻辑单元 1464
-1-3 串加器 1044
-1-2 全加器 1044
参考资料 1004
习题 1014
算数与逻辑运算4
-1 加法和加法器电路 1034
-1-1 半加器 1034
-2-3 2补数表示法 1164
-1-4 并加器 1064
-1-5 前瞻进位加法器 1084
-2 数目表示法 1104
-2-1 带号大小表示法 1114
-2-2 补数表示法 1134
-16 磁鼓记忆器 2615
-16-1 储存媒体及推动 2625
-16-2 读/写头 2635
-16-3 控制器 2635
-17 磁碟记忆器 2645
-17-1 储存媒体及驱动 2655
-15 资料记录方法 2585
-17-2 读/写头 2665
-17-3 控制器 2665
-18 软性磁碟 2675
-18-1 储存媒体及资料排列 2685
-18-2 存取时间 2695
-18-3 读/写头 2695
-14 大容量记忆装置 2565
-13-6 PLA的应用 2555
-13-5 IM5200PLA 2545
-13-4 DM8575/8576PLA 2525
-13-3 PLA的扩展 2485
-13-2 PLA的规划 2465
-13-1 PLA的结构 2445
-13 可规划逻辑阵列(PLA及其应用) 2435
-12-5 ROM应用于计算机中之微程式规划 2415
-12-4 ROM在循序逻辑的应用 2395
-12-3 ROM在数学函数的应用 2345
-12-2 ROM在字元产生器的应用 2305
-12-1 ROM在组合逻辑的应用 2255
-12 ROM的应用 2245
-21-3 输入电路 2875
-23-3 控制系统与除错 3065
-23-2 资料之存取 3055
-23-1 记忆媒体 3045
-23 光盘记忆器 3045
-22-3 磁泡记忆器结构 3035
-22-2 磁泡的物理结构与运动 3005
-22-1 磁泡的形成 2995
-22 磁泡记忆器 2995
-21-6 2416/2464 CCD记忆器 2935
-21-5 CCD记忆器结构 2895
-21-4 输出电路 2875
-18-4 资料储存格式 2705
-21-2 CCD装置的转移参数 2855
-21-1 CCD的构造及工作原理 2815
-21 电荷耦合装置(CCD) 2815
-20-2 重复记录法 2805
-20-1 记录方法及资料格式 2795
-20 卡式磁带装置 2785
-19-3 读/写头与资料格式 2775
-19-2 储存媒体 2775
-19-1 盘式磁带装置 2765
-19 磁带记忆器 2765
-18-6 控制器 2745
-18-5 资料记录方法 2725
-4-3 电流暂态及其效应 1715
-2-3 记忆单元的选取方式 1565
-6-2 一致电流记忆器存取 1785
-6-1 基本结构及存取原理 1765
-6 磁芯记忆器 1745
-5 双极性电晶体RAM 1735
-4-4 更新 1725
-4-2 实例说明——2116(4116) 1665
-4-1 基本原理 1645
-4 动态RAM 1645
-3-3 记忆器之扩展 1625
-3-2 实例说明——2114 1625
-3-1 基本原理 1605
-3 静态RAM 1605
-6-3 一致电流记忆器结构 1795
-2-2 记忆器之分类——存取方式 1545
-2-1 记忆器之分类——位置区分 1535
-2 记忆器之分类 1535
-1-4 记忆器的相关术语定义 1535
-1-3 暂时性与永久性记忆器 1525
取 1525
-1-2 非破坏性读取与破坏性读5
-1-1 记忆单元 1515
-1 记忆器单元导论 1515
记忆器5
习题 1495
参考资料 1485
-11-3 CMOS EEPROM 2235
-8-6 动态MOS ROM 1995
-11-2 MNOS EEPROM 2215
-11-1 SIMOS EEPROM 2185
-11 电气规划/清除ROM(EEPROM;EAROM) 2175
-10-3 Intel 2716 2145
-10-2 MOS EPROM的清除 2135
-10-1 Intel 2708 2095
-10 可规划/清除ROM(EPROM) 2095
-9-2 MOS PROM的规划 2065
-9-1 双极性PROM的规划 2025
-9 可规划ROM(PROM) 2025
-8-7 ROM的发展趋向 2005
-6-4 三维记忆器 1845
-7-3 商用双极性TTL CAM 1915
-6-5 二维记忆器 1855
-6-6 2 1/2 维记忆器 1865
-7 内含可定址记忆器(CAM) 1875
-7-1 CAM的用途 1875
-7-2 MOS CAM 1885
-8-5 树枝矩阵的MOS ROM 1985
-8 ROM 1935
-8-1 双极性ROM 1955
-8-2 双极性ROM的规划 1955
-8-3 MOS ROM 1965
-8-4 MOS ROM 1985
-3-4 移位电路设计与分析 3246
-3-5 资讯处理单元动作分析 3256
-4 控制单元分析与设计 3276
-4-1 控制单元的结构 3286
-4-2 控制单元电路设计举例 3316
-3-3 状态暂存器 3216
-4-3 资讯处理单元控制说明 3386
-5 微处理机动作原理 3396
-5-1 处理器单元结构 3406
-5-2 指令摘取与执行 3416
-5-3 指令解码与CM之关系 3436
-2-1 暂存器间之资料转移 3116
-3-2 算术逻辑单元 3206
-3-1 资料处理单元结构 3166
-3 资料处理单元 3156
-2-5 移位运算 3146
-2-3 记忆器资料转移 3126
-2-2 多工器与三态逻辑闸 3126
-1 暂存器转移语言(RTL) 3096
微处理机动作原理6
习题 3076
参考资料 3066
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