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晶体生长手册 第4册 蒸发及外延法晶体生长技术 英文2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

晶体生长手册 第4册 蒸发及外延法晶体生长技术 英文
  • （美）德哈纳拉等主编 著
  • 出版社： 哈尔滨：哈尔滨工业大学出版社
  • ISBN：9787560338699
  • 出版时间：2013
  • 标注页数：417页
  • 文件大小：254MB
  • 文件页数：455页
  • 主题词：晶体生长－蒸发－手册－英文；晶体生长－外延生长－手册－英文

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图书目录

Part D 晶体的气相生长3

23 SiC晶体的生长与表征3

23.1 SiC——背景与历史3

23.2气相生长5

23.3高温溶液生长7

23.4籽晶升华的产业化体材料生长8

23.5结构缺陷及其构造11

23.6结语22

参考文献23

24物理气相传输法生长体材料AIN晶体27

24.1物理气相传输法晶体生长28

24.2高温材料兼容31

24.3 AIN体材料晶体的自籽晶生长33

24.4 AIN体材料晶体的籽晶生长35

24.5高质量晶体表征38

24.6结论与展望45

参考文献45

25单晶有机半导体的生长51

25.1基础51

25.2成核与晶体生长理论53

25.3对半导体单晶有机材料的兴趣54

25.4提纯预生长56

25.5晶体生长60

25.6有机半导体单晶的质量68

25.7有机单晶场效应晶体管69

25.8结论70

参考文献71

26卤化物气相外延生长Ⅲ族氮化物75

26.1生长化学和热力学75

26.2 HVPE生长设备78

26.3体材料GaN的生长衬底和模版81

26.4衬底除去技术85

26.5 HVPE中GaN的掺杂方法88

26.6缺陷密度、位错和残留杂质89

26.7 HVPE生长的体材料GaN的一些重要性能93

26.8通过HVPE生长AIN：一些初步的结论94

26.9通过HVPE生长InN：一些初步的结论96

参考文献97

27半导体单晶的气相生长103

27.1气相生长分类105

27.2化学气相传输——传输动力学107

27.3热力学讨论111

27.4 CVT法Ⅱ-Ⅵ化合物半导体的生长118

27.5纳米材料的气相生长122

27.6 Ⅰ-Ⅲ-Ⅵ2化合物生长123

27.7 VPE法生长氮化镓131

27.8结论135

参考文献136

Part E 外延生长和薄膜145

28化学气相沉积的碳化硅外延生长145

28.1碳化硅极化类型147

28.2碳化硅的缺陷148

28.3碳化硅外延生长150

28.4图形衬底上的外延生长158

28.5结论167

参考文献167

29半导体的液相电外延173

29.1背景173

29.2早期理论和模型的研究177

29.3二维连续模型183

29.4静态磁场下的LPEE生长法184

29.5三维仿真187

29.6 LPEE的高生长率：电磁场下迁移率198

参考文献202

30半导体的外延横向增生205

30.1概述206

30.2液相外延横向增生的机制208

30.3 ELO层中的位错217

30.4 ELO层张力222

30.5半导体结构横向增生的最新进展232

30.6结语240

参考文献241

31新材料的液相外延247

31.1 LPE的发展历史248

31.2 LPE的基础和溶液生长248

31.3液相外延的要求250

31.4新材料研究：外延淀积法的选择250

31.5高温超导体的LPE法252

31.6锗酸钙镓的LEP261

31.7氮化物的液相外延265

31.8结论269

参考文献270

32分子束外延的HgCdTe生长275

32.1综述276

32.2 MBE生长理论279

32.3衬底材料282

32.4生长硬件的设计294

32.5监测和控制生长的原位表征工具296

32.6成核和生长过程307

32.7掺杂和掺杂激活310

32.8 MBE法生长的HgCdTe外延层的特性313

32.9 HgTe/CdTe超晶格318

32.10先进红外探测器的结构321

32.11红外焦平面阵列（FPAs）324

32.12结论325

参考文献327

33稀释氮化物的金属有机物气相外延和砷化物量子点339

33.1 MOVPE原则339

33.2稀释氮化物InGaAsN量子阱343

33.3 InAs/GaAs量子点348

33.4结语354

参考文献354

34锗硅异质结的形成及其特性359

34.1背景359

34.2 Si/Ge异质结的能带结构360

34.3生长技术362

34.4表面隔离363

34.5临界厚度367

34.6应力松弛机理369

34.7松弛SiGe层的形成371

34.8量子阱的形成、超晶格、量子线379

34.9点形成383

34.10结语与展望390

参考文献390

35脉冲激光的等离子能量和脉冲电子淀积399

35.1薄膜淀积的能量聚集399

35.2 PLD和PED技术400

35.3 PLD和PED中的原子能转换401

35.4薄膜生长的等离子体熔体的优化410

35.5结论414

参考文献415

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