图书介绍

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MOS大规模集成技术 第2册
  • 清华大学微电子学研究所 著
  • 出版社： 北京：科学出版社
  • ISBN：15031·606
  • 出版时间：1984
  • 标注页数：228页
  • 文件大小：12MB
  • 文件页数：231页
  • 主题词：

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图书目录

目录1

对细线条复印技术的评述：现在与将来1

八十年代的逐区对准技术12

采用大数值孔径透镜的投影光复印技术27

离子束有希望为硅片亚微米复印提供实用装置37

激光投影复印44

反应离子刻蚀技术及其在制作高分辨率抗蚀剂图形中的应用55

含氯等离子体中的各向异性刻蚀61

铝的等离子刻蚀70

等离子刻蚀的终点检测法79

反应离子刻蚀在二氧化硅中引入的辐射损伤（评述）92

超精细图形产生技术103

用于超大规模集成电路制造中的低温硅工艺技术112

硅的低温、高压蒸汽氧化131

Si3N4和SiO2低压化学汽相淀积过程的热化学计算136

在一种新型的低压化学汽相淀积系统中的等离子体增强化学汽相淀积144

低温光化学淀积氮化硅的性质和应用154

高电导TaSi2/N＋多晶硅栅的MOS兼容性163

MoSi2的薄层性质及其在MoSi2栅MOSFET中的应用175

用于超大规模集成电路中的热壁CVD钨184

用于超大规模集成电路中的铝和铝合金的溅射淀积190

衬底温度对在硅上形成Pd-w和Pt-w合金硅化物浅接触的影响200

离子注入调整难熔金属－硅结构的界面204

先进硅器件中的浅离子注入层211

激光退火在超大规模集成电路中的应用221

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