图书介绍

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电子器件与电路 第6版
  • (美)Theodore F. Bogart,(美)Jeffrey S. Beasley,(美)Guillermo Rico著;蔡勉,王建明,孙兴芳译 著
  • 出版社: 北京:清华大学出版社
  • ISBN:7302120897
  • 出版时间:2006
  • 标注页数:830页
  • 文件大小:53MB
  • 文件页数:839页
  • 主题词:电子元件-教材;电子电路-教材

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图书目录

目录1

第1章 绪论1

1-1 电子学的学习1

1-2 电子学简史1

1-3 计算机的用途2

1-4 电路分析与电路设计3

第2章 pn结4

2-1 简介4

2-2 pn结的形成过程4

2-3 二极管伏安特性7

2-4 二极管的电流公式9

2-5 辨别二极管的正向与反向偏置模式16

2-6 pn结电容22

2-7 用ELECTRONICS WORKBENCH MULTISIM软件分析电路24

小结25

练习25

第3章 电路元件——二极管29

3-1 引言29

3-2 非线性器件——二极管29

3-3 交流电组和直流电阻31

3-4 含有二极管的直流电路的分析34

3-5 初级电源39

3-6 初级稳压50

3-7 二极管类型、额定值及规格62

3-8 MULTISIM实验69

小结70

练习70

4-2 BJT工作原理78

第4章 双极型晶体管78

4-1 引言78

4-3 共基极特性84

4-4 共发射极特性89

4-5 共集电极的特性曲线97

4-6 偏置电路99

4-7 设计考虑因素110

4-8 BJT反相器(晶体管开关)113

4-9 晶体管的类型、额定值和规格说明书118

4-10 晶体管波形记录器121

4-11 基于WORKBENCH MULTISIM的BJT电路分析123

小结125

练习125

5-2 结型场效应晶体管133

第5章 场效应晶体管133

5-1 简介133

5-3 JFET的偏置140

5-4 JFET电流源146

5-5 JFET作为模拟开关147

5-6 生产商的数据表单150

5-7 金属氧化物半导体场效应管152

5-8 集成电路MOSFET160

5-9 VMOS和DMOS晶体管161

5-10 用Electronics Workbench(EWB)Mult isim分析FET电路162

小结166

练习166

6-2 放大器特征171

第6章 放大器基本原理171

6-1 引言171

6-3 放大器模型175

6-4 多级放大器181

小结186

练习187

第7章 小信号晶体管放大器189

7-1 引言189

7-2 共射放大器的分析191

7-3 用小信号模型分析放大器203

7-4 直接耦合223

7-5 其他小信号模型228

7-6 共源JFET放大器241

7-7 共漏和共栅JFET放大器247

7-8 小信号MOSFET放大器251

7-9 Multisim仿真练习253

小结254

练习254

第8章 理想运算放大器及分析264

8-1 理想运算放大器264

8-2 电压和、差和缩放270

8-3 受控电压源和受控电流源277

8 4 Multisim仿真练习283

小结283

练习284

第9章 频率响应288

9-1 定义和基本概念288

9-2 分贝图和对数坐标图291

9-3 串联电容和低频响应298

9-4 并联电容和高频响应307

9-5 瞬态响应316

9-6 BJT放大器频率响应319

9-7 FET放大器频率响应335

9-8 Multisim仿真练习340

小结340

练习341

第10章 运算放大器理论及其性能351

10-1 模拟运算放大器351

10-2 反馈理论351

10-3 频率响应361

10-4 转动率和上升时间368

10-5 补偿电流和补偿电压375

10-6 运算放大器说明书381

10-7 Multisim仿真练习392

小结393

练习393

第11章 高级运算放大器的应用399

11-1 电子积分399

11-2 电子微分407

11-3 移相电路413

11-4 仪表放大器416

11-5 有源滤波器422

11-6 对数放大器438

11-7 Multisim仿真练习441

练习442

小结442

第12章 波形发生和整形449

12-1 电压比较器449

12-2 多谐振荡器和波形整形457

12-3 振荡器462

12-4 8038集成电路信号发生器471

12-5 削波和整流电路472

12-6 箝位电路479

12-7 Multisim仿真练习481

小结481

练习482

13-1 引言489

13-2 稳压489

第13章 稳压和开关电源489

13-3 串联和并联稳压器492

13-4 开关稳压器501

13-5 可调集成电路稳压器510

13-6 利用EWB分析稳压器电路515

小结518

练习518

第14章 数字-模拟和模拟-数字转换器522

14-1 概述522

14-2 R-2R阶梯DAC525

14-3 加权电阻DAC529

14-4 开关电流源DAC530

14-5 开关电容DAC532

14-6 DAC性能规格534

14-7 计数器型ADC537

14-8 闪光A/D转换器539

14-9 双斜率(积分)ADC541

14-10 连续近似值ADC543

14-11 ADC性能规格544

14-12 用EWB分析A/D电路546

小结550

练习550

第15章 专用电子器件553

15-1 四层结构器件553

15-2 光电子器件566

15-3 单结晶体管589

15-4 隧道二极管597

15-5 锁相环598

15-6 采用Electronics Workbench Multisim分析SCR电路603

小结605

练习605

第16章 功率放大器609

16-1 功率放大器的定义、应用和种类609

16-2 晶体管功率耗散610

16-3 半导体器件中的热量转移612

16-4 放大器类型和效率616

16-5 推挽式放大器原理625

16-6 推挽式驱动器630

16-7 谐波失真和反馈632

16-8 推挽式放大器的失真636

16-9 无变压器的推挽式放大器639

16-10 C类放大器647

16-11 MOSFET和D类功率放大器652

练习656

小结656

第17章 晶体管模拟电路结构单元663

17-1 引言663

17-2 BJT和MOSFET小信号等效电路663

17-3 电流源型/电流沟型665

17-4 电流反射镜668

17-5 增益级674

17-6 差分放大器687

17 7 密勒运算放大器703

17-8 用Electronics Workbench Multisim分析BJT增益级电路707

小结712

练习712

18-1 引言720

第18章 超大规模集成数字电路设计720

18-2 CMOS组合逻辑电路的晶体管-电平实现721

18-3 CMOS组合逻辑电路设计724

18-4 CMOS逻辑电路的瞬时性态728

18-5 计时CMOS超大规模集成电路735

18-6 随机存取存储器和只读存储器742

18-7 输入/输出(I/O)缓冲器751

18-8 用EWB分析晶体管-电平逻辑电路760

小结764

练习764

附录A SPICE和PSpice770

A-1 引言770

A-2 描述SPICE输入文件的电路770

A-3 DC和.PRINT控制指令774

A-4 TRAN控制指令778

A-5 正弦和脉冲源778

A-6 初始瞬值方法780

A-7 二极管模型782

A-8 BJT模型784

A-9 TEMP指令785

A-10 源和.AC控制指令786

A-11 结型场效应晶体管(JFET)792

A-12 MOS场效应管(MOSFET)793

A-13 受控(从属)源794

A-14 变压器796

A-15 子电路797

A-17 PSpice库799

A-16 设计管理器799

附录B 电阻器的标准值与读取和选择电容器802

B-1 电阻器的标准值802

B-2 读取和选择电容器802

附录C 频 率响应的推导805

附录D 半导体理论807

D-1 引言807

D-2 原子结构807

D-3 半导体材料809

D-4 半导体中的电流810

D-5 p型和n型半导体816

D-6 pn结818

D-7 正向偏置结和反向偏置结821

D-8 半导体术语表822

部分习题参考答案825

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