图书介绍

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（日）广濑全孝编著；彭军译著
出版社：北京：科学出版社
ISBN：7030108892
出版时间：2003
标注页数：162页
文件大小：10MB
文件页数：173页
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图书目录

第1章集成电路基础1

1．1 半导体集成电路与信息处理1

1．2 半导体与能量间隙2

1．3 n型、p型半导体与费米能级3

1．4 pn结与能带5

1．5 MOS结构中耗尽层的形成7

1．6 MOS存储器9

1．7 MOS逻辑电路9

练习题10

第2章 MOS器件的工作与微细化11

2．1 MOS晶体管的工作特征11

2．1．1 硅氧化膜与硅界面系统中的可动电荷与固定电荷11

2．1．2 MOS晶体管的结构与工作特性16

2．1．3 MOS晶体管的结构及其引起的各种现象与面临的课题20

2．2 MOS晶体管的工作模型与器件模拟27

2．2．1 MOS晶体管工作的基本模型27

2．2．2 MOS晶体管的结构设计与器件模拟33

2．2．3 器件模拟的课题36

2．3 微细化的目的与设计指导思想，等比例缩小规则的出发点与现实37

2．3．1 MOS晶体管微细化的目的与设计指导思想37

2．3．2 等比例缩小规则的出发点与发展过程37

2．3．3 等比例缩小约限度与现代器件设计39

2．4 半导体存储器结构的历史与未来40

2．4．1 存储器的结构与历史40

2．4．2 信息、积蓄电容与高介中常数薄膜，强电介质薄膜42

练习题42

3．1．1 CMOS反相器的结构45

第3章基本电路与版图设计45

3．1 CMOS反相电路45

3．1．2 直流传输特性47

3．1．3 CMOS的特性50

3．2 传输门(TG)53

3．3 CMOS逻辑电路举例54

3．2．1 双输入与非门NAND54

3．3．2 双输入与或门NOR55

3．2．3 复合门55

3．3．4 双输入XOR(EXOR)门(异或逻辑)56

3．3．5 触发器与锁存器57

3．4 存储器集成电路60

3．4．1 存储器的结构及种类60

3．4．2 动态存储器(DRAM)61

3．4．3 静态存储器(SRAM)63

3．4．4 掩模ROM64

3．4．5 EPROM(Electrlcally Programmable ROM)64

3．4．6 EEPROM(Electrically Erasable and Programmable ROM)65

3．4．7 快闪只读存储器66

3．5 版图设计67

3．5．1 设计规则67

3．5．2 LSI版图设计方法69

练习题71

第4章 LSI制造技术73

4．1 基本工艺与工艺流程73

4．1．1 基本工艺73

4．1．3 工艺一体化76

4．1．2 工艺流程76

4．2．1 LOCOS隔离与开槽隔离77

4．2 器件隔离77

4．2．2 其他隔离技术78

4．3 衬底与阱技术79

4．3．1 CMOS工艺与阱的形成79

4．3．2 可靠性与阱技术80

4．3．3 外延衬底与SOI衬底81

4．4 栅与源、漏结的形成83

4．4．1 栅工艺83

4．4．2 源、漏结的形成84

4．4．3 漏极技术85

4．5．2 金属化系统86

4．5 接触的形成与多层布线86

4．5．1 接触的形成86

4．5．3 多层布线工艺与平坦化技术88

4．6 双极工艺与BiCMOS工艺90

4．6．1 双极工艺90

4．6．2 BiCMOS工艺91

练习题92

第5章 LSI设计与CAD93

5．1 LSI开发与CAD93

5．1．1 LSI设计流程93

5．1．2 ASIC设计的方法95

5．1．3 模拟器96

5．2．1 系统设计与功能设计97

5．2 功能设计、逻辑设计97

5．2．2 逻辑设计98

5．2．3 逻辑模拟器99

5．2．4 逻辑综合102

5．3 电路设计102

5．3．1 CMOS反相器的输入输出特性102

5．3．2 CMOS反相器的开关特性105

5．3．3 CMOS反相器的功耗107

5．3．4 LSI的信号传输延迟时间107

5．3．5 电路模拟器110

5．4 设计验证111

5．4．1 LSI的故障与检验111

5．4．2 测试简易化设计113

练习题115

第6章中央处理器的基本结构与工作原理117

6．1 计算机系统概要117

6．2 中央处理器的结构与功能124

6．2．1 数值数据的表示124

6．2．2 指令系统126

6．2．3 中央处理器的结构129

6．2．4 中央处理器的工作144

6．3 中央处理器的性能148

6．3．1 性能的评价148

6．3．2 改善性能的手段149

练习题150

练习题简答153

参考文献163