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第一章 半导体中的电子状态1

§1．能带的形成1

§2．电子在外力下的运动和有效质量11

§3．导带、满带和空穴17

§4．杂质和缺陷能级29

第一章参考文献31

第二章 电子和空穴的统计分布33

§5．费米能级和电子的统计分布33

§6．本征激发和杂质电离43

§7．普遍情况下统计分布的分析53

§8．载流子的简并化59

§9．化学势和质量作用定律67

第二章参考文献78

第三章 电磁场中的迁移现象79

§10．载流子的散射79

§11．电导的简单分析89

§12．霍耳效应的简单分析93

§13．简单分析的局限性和结果的修正101

§14．电导率的统计理论105

§15．迁移率116

§16．一种载流子霍耳效应的统计理论121

§17．两种载流子的霍耳系数125

§18．半导体的磁阻129

§19．实验结果与半导体某些物理量的测定135

§20．低温的霍耳效应和电导146

第三章参考文献148

第四章 半导体的热导率、温差电现象和热磁效应151

§21．热传导151

§22．温差电现象的一般描述和热力学关系163

§23．半导体的温差电动势率167

§24．电能与热能的转换，温差电发电机，致冷器与发热器179

§25．热磁效应186

第四章参考文献194

第五章 非平衡载流子196

§26．少数载流子的注入和检验196

§27．寿命和测量方法198

§28．非平衡载流子的扩散200

§29．光扩散电势差和光磁效应204

§30．表面对寿命的影响211

§31．非平衡载流子的漂移和扩散219

§32．复合过程的性质和直接复合的理论224

§33．复合中心理论230

§34．陷阱效应238

第五章参考文献246

第六章 半导体表面248

§35．外电场(或附着电荷)和表面势248

§36．功函数和接触电势257

§37．表面电导和场效应262

§38．表面能级266

§39．表面结构和表面过程的弛豫现象275

第六章参考文献277

第七章 半导体和金属的接触279

§40．接触势垒280

§41．扩散理论和伏-安特性曲线287

§42．两极管理论294

§43．理论的检验和修正296

§44．阻挡层中非平衡载流子效应305

第七章参考文献311

§45．P-n结的势垒和伏-安特性313

第八章 P-n结313

§46．P-n结的电容321

§47．电击穿现象327

第八章参考文献334

第九章 半导体中光的吸收335

§48．本征吸收335

§49．其它的吸收过程340

§50．晶格振动对电子跃迁的影响353

第九章参考文献359

§51．半导体的光电导362

第十章 光电导362

§52．直线性和抛物线性光电导364

§53．复合和陷阱作用369

§54．本征光电导的光谱分布378

§55．杂质光电导384

第十章参考文献387

附录Ⅰ389

附录Ⅱ390

附录Ⅲ390

附录Ⅳ399

附录Ⅴ400