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第1章 绪论1

1.1光电子器件的瞬态1

1.2半导体紫外光发射器研究现状与进展1

1.3真空半导体器件瞬态优势与艾里光束的非线性瞬态调制技术8

第2章 宽禁带半导体电光器件瞬时激射12

2.1异质结器件电瞬时发光机理12

2.2异质结薄膜的MIS结紫外光发射器件22

2.2.1波长调控机理22

2.2.2器件制备流程与工艺23

2.2.3异质结薄膜MIS结制备26

2.2.4 MIS结光发射器件的电泵浦随机激光28

2.3波长可调的紫外电致发光和随机激光33

2.3.1 MIS结光发射器件的制备33

2.3.2波长可调的电致发光和随机激光34

2.3.3电致发光机制与讨论36

2.4 MIS结激光二极管的瞬态技术40

2.4.1纳米线阵列的水热合成与物性40

2.4.2纳米线性能提升42

2.4.3纳米线的光学和电学输运性质45

2.4.4纳米线的电泵浦受激发射和机制48

2.5本章小结55

第3章 电真空光电倍增与复合探测原理57

3.1电真空光电倍增器件复合探测的应用背景与原理57

3.1.1复合探测的应用背景57

3.1.2复合探测原理61

3.2微通道空间波导阳极复合探测器件63

3.2.1复合波导阳极结构与工作原理63

3.2.2复合波导阳极设计原理与特性67

3.3器件级电子光学系统设计、工艺与验证70

3.3.1器件级工艺与实现70

3.3.2复合探测原理性验证76

3.4微通道空间复合波导栅型复合探测器件78

3.5本章小结83

第4章EBAPS瞬时光电倍增器件84

4.1 EBAPS的基本结构及原理84

4.2入射光电子在电子倍增层中的散射模型86

4.2.1入射光电子的运动轨迹基本模型86

4.2.2散射截面87

4.2.3非弹性散射的能量损失88

4.2.4坐标系变换89

4.2.5计算机模拟电子运动轨迹的物理模型90

4.3 EBAPS中电子倍增层内电子散射特性的影响因素92

4.3.1入射光电子能量对电子散射特性的影响研究92

4.3.2死层厚度与能量损失率的关系94

4.3.3掺杂浓度对倍增层内电子散射特性的影响95

4.3.4入射光电子束直径与电子散射特性的关系研究95

4.3.5倍增电子分布模拟研究96

4.4 EBAPS电荷收集效率理论模拟与测试方法98

4.4.1基底均匀下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究98

4.4.2基底梯度掺杂下EBAPS电荷收集效率理论模拟研究102

4.4.3 EBAPS电子倍增层增益的测试方法106

4.5本章小结109

第5章 新型无衍射表面波及艾里光束瞬态非线性调制技术110

5.1光折变表面波与自加速艾里光束110

5.2 LiNbO3晶体界面处表面波的调制原理118

5.2.1调制理论模型与数据分析118

5.2.2表面波激发实验结果120

5.2.3表面波诱导波导理论123

5.3克尔介质中艾里孤子的产生与瞬时调制127

5.3.1艾里孤子的调制机理127

5.3.2艾里孤子的空间瞬时调制129

5.3.3艾里孤子的空间稳定性与瞬时调制132

5.3.4艾里光束的交互作用及其瞬时调制134

5.4饱和非线性介质中艾里高斯光束的传输与交互的调制139

5.4.1艾里高斯光束的传输与调制机理139

5.4.2双艾里高斯光束交互作用的调制145

5.5本章小结150

参考文献152

英文缩写表163