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一、总 类1

微型结构1

微型组件1

组件1

混合微型结构1

分立元器件1

目 录1

功能块2

分系统2

系 统2

功能器件2

分子电子学2

集成电路3

半导体集成电路3

混合集成电路4

薄膜集成电路4

厚膜电路5

膜集成电路5

大规模集成电路5

中规模集成电路6

毫微瓦集成电路7

适当规模集成电路7

梁式引线集成电路7

固体逻辑技术8

先进固体逻辑技术8

多片电路8

基片，衬底9

阵 列9

单 片9

圆 片9

基 片9

二、制造工艺9

计算机半自动设计，借助计算机进行设计9

多单元法10

微矩阵法10

母片法10

扩散、蒸发和溅射10

扩散电阻10

扩散致窄电阻11

掺金，金扩散11

埋层11

溅射12

真空蒸发法12

电子束蒸发（淀积）法12

薄膜电阻13

光刻技术13

光刻法13

掩模原图14

掩模原板14

分步重复工序14

掩模14

光致抗蚀剂14

光 刻14

坐标制图器15

外延生长、隔离和钝化15

外延生长15

外延层15

硅－蓝宝石技术15

隔离15

钝化16

连 接16

互连，内连16

跨接17

选择布线法，选择连接法17

穿接17

网印技术18

丝网漏印法18

焊 接18

超声焊18

热压焊18

压焊19

正焊19

焊接区20

倒装法20

倒焊20

三、组装和测试21

外壳21

封装密度21

高密度装配21

加速寿命试验22

级增应力试验22

试验板实验22

“非”逻辑，“非”运算23

“与”逻辑，“与”运算23

“与非”逻辑，“与非”运算23

“或”逻辑，“或”运算23

逻辑电路23

四、电路和器件23

真值表23

“或非”逻辑，“或非”运算24

“异－或”逻辑，“异－或”运算24

正（负）逻辑24

饱和逻辑电路24

非饱和逻辑电路24

二极管－晶体管逻辑25

电阻－晶体管逻辑25

晶体管－晶体管逻辑26

互补晶体管逻辑26

电流型逻辑，发射极耦合26

逻辑26

输入端数27

输出端数27

输入（出）扩展电路27

触 发器28

“0”电平，“1”电平28

反转触发器28

倒相器28

缓冲器28

门（电路）28

J-K触发器29

R-S触发器29

寄存器29

寄存器29

只读存储器30

存储电路读出放大器30

存储器30

高速暂存存储器，便笺式30

存储器30

移位寄存器30

静态寄存器30

动态寄存器30

不可辩区31

编码、译码和转换31

编码器31

译码器31

模拟－数字转换器31

二进制码，位，毕特32

二进位组32

放大器32

差动放大器32

运算放大器33

射地－基地放大器；33

共射－共基放大器33

戴林顿放大器34

金属－氧化物－半导体结构互补金属－氧化物－半导体结构34

耗尽型（金属－氧化物－半导体晶体管）35

金属－氧化物－半导体35

电容器35

增强型（金属－氧化物－半导体晶体管）35

晶体管35

金属－氧化物－半导体35

晶 体管36

单极晶体管36

双极晶体管36

场效应晶体管36

面结型场效应晶体管36

基片pnp型晶体管，衬底37

pnp晶体管37

横向pnp型晶体管37

脉冲（信号）振幅38

脉冲宽度38

脉冲下降时间38

电平移位二极管38

五、性能参数38

脉冲上升时间39

脉冲重复频率39

传输延迟时间，传输时延39

上升延迟时间，上升时延39

下降延迟时间，下降时延39

脉（冲波）动，脉冲瞬变40

尖峰，过冲40

噪声容限40

热时间常数41

输入负载率41

抗扰度，抗扰性41

热 阻41

噪声系数41

输出负载率42

输入偏移电压（电流）42

上限截止频率42

最坏条件42

失效率42

平均失效间隔时间42

非特42

共态抑制比42

开环电压增益43