图书介绍
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- 李乃平主编 著
- 出版社: 武汉:华中理工大学出版社
- ISBN:7560911218
- 出版时间:1995
- 标注页数:254页
- 文件大小:17MB
- 文件页数:266页
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图书目录
微电子加工环境6
环境污染对成品率的影响6
超净空间环境7
超纯水8
超纯气体及化学试剂8
衬底材料9
IC发展与硅材料的关系9
大直径单晶的制备11
单晶材料中的原生缺陷与有害杂质16
对单晶材料的基本要求及其完美化工艺18
衬底制备20
单晶棒的整形与定向21
晶片加工23
练习与思考27
参考文献27
固态扩散28
固态扩散的基本模式28
粒子流密度29
扩散系数30
硅中常用杂质的扩散系数33
输运方程和低浓度下的杂质浓度分布34
恒定高表面浓度扩散39
载流子浓度与杂质浓度的关系41
硅中高浓度磷扩散43
氧化性气氛对扩散的影响45
扩散的相互作用及横向扩散46
工艺指南与系统48
扩散方法与工艺51
金扩散55
砷化镓中杂质的扩散行为56
砷化镓中的扩散技术58
离子注入掺杂61
注入离子的能量损失机构61
注入深度64
注入离子在非晶靶中的浓度分布68
单晶靶和双层靶中的离子浓度分布72
离子注入设备76
注入工艺78
注入损伤80
退火特性82
合金法85
合金pn结的制作原理85
合金条件的考虑86
练习与思考87
参考文献88
同质硅化学气相外延89
外延的物理化学原理89
生长动力学原理91
反应器中的工作状态95
外延掺杂99
堆垛层错100
原位气相腐蚀抛光102
埋层图形漂移、畸变与塌边103
杂质的固态对流扩散104
自掺杂及外延层中杂质浓度分布107
低压外延109
气相硅外延系统与工艺112
其它外延技术115
选择外延与SOS外延115
砷化镓外延116
分子束外延121
热生长二氧化硅膜122
二氧化硅膜的结构和性质123
热生长氧化膜的制备125
热氧化生长动力学原理126
二氧化硅的扩散掩蔽作用和硅的局部氧化131
氧化层错133
薄膜的化学气相淀积(CVD)135
供微电子器件和工艺用CVD膜135
常压化学气相淀积法138
低压化学气相淀积法142
等离子增强化学气相淀积法144
光化学气相淀积法的基本原理145
介质膜的其它制备方法147
阳极氧化法147
等离子体阳极氧化法149
聚酰亚胺钝化膜149
金属类薄膜的物理气相淀积150
物理气相淀积的基本要素151
物理气相淀积的实施152
练习与思考155
参考文献156
抗蚀剂和掩模材料157
光致抗蚀剂157
电子束抗蚀剂159
X射线抗蚀剂160
掩模材料161
计算机辅助掩模图形发生164
原图数据的产生164
图形的发生166
掩模版图形的形成169
光学制版169
电子束制版172
晶片上抗蚀膜图形的形成174
光学曝光175
电子束曝光176
X射线曝光178
其它曝光方法180
小结183
晶片表面图形的形成184
图形转换184
湿法腐蚀185
干法腐蚀186
砷化镓的腐蚀189
微细图形缺陷分析与控制190
图形缺陷与成品率的关系190
缺陷的种类与危害191
缺陷的产生与控制191
缺陷的检查与修补193
练习与思考194
参考文献195
工艺模拟的基础196
一般介绍196
杂质流输运方程197
模型方程的数值计算方法198
工艺模型198
离子注入模型199
氧化模型200
扩散模型201
外延模型203
腐蚀与淀积模型203
光刻模型205
多晶硅淀积模型207
氮化硅氧化模型208
电学参数208
SUPREM工艺模拟软件简介208
SUPREMⅡ简介208
SUPREMⅢ简介210
微电子测试图形210
测试图形的作用与布局210
几种常见的测试图形211
微电子工艺评价217
工艺评价217
在线监测221
练习与思考225
参考文献225
欧姆接触226
欧姆接触的基本原理226
形成欧姆接触的基本方法227
布线技术227
金属化方法227
布线工艺231
键合233
芯片分割233
键合引线材料234
键合235
封装236
金属封装236
塑料封装237
陶瓷封装238
表面安装技术240
基板材料240
安装元件240
表面安装方法241
练习与思考242
参考文献242
MOS型集成工艺243
CMOS工艺设计243
n-MOS工艺设计247
双极型集成工艺设计249
场介质隔离TTL工艺249
STTL工艺设计251
砷化镓集成电路工艺252
工艺流程设计252
主要工艺参数选取252
练习与思考253
参考文献253
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