图书介绍

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国外MOS存储器
  • 上海半导体器件研究所,成字128部队编 著
  • 出版社: 上海科学技术情报研究所
  • ISBN:151634·234
  • 出版时间:1975
  • 标注页数:185页
  • 文件大小:26MB
  • 文件页数:190页
  • 主题词:

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图书目录

目录1

1.MOS存储器发展概况1

2.1024位高速MOS大规模集成随机存取存储器15

3.动态随机存取储器的基础及其应用25

4.4千位MOS动态随机存取存储器58

5.全译码随机存取1024位动态存储器67

6.简易刷新的动态n沟道MOS随机存取存储器82

7.具有内部刷新的三管MOS存储单元89

8.新型的4096位MOS芯片是快速高封装密度计算机存储器的心脏91

9.采用单管(FET)单元的8千位随机存取存储器芯片100

10.具有内部时序电路和低功耗单管4096位随机存取存储器108

11.高性能1024位开关电容p沟绝缘栅场效应晶体管115

12.用n沟硅栅工艺制作的1密耳2单管存储单元127

13.读出放大器的设计是单管单元4096位随机存取存储器的关键133

14.采用常关型肖特基势垒场效应晶体管的静态随机存取存储器144

15.绝缘体上外延硅薄膜MOS工艺的五管存储单元151

16.互补MOS存储器154

17.应用可变电容的自举作用来消除MOS电路中的阈值损失159

18.半导体存储器的测试方法162

19.MOS大规模集成电路的可靠性167

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