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第1章 模拟电路设计绪论1

1.1研究模拟电路的重要性1

1.2研究模拟集成电路的重要性5

1.3研究CMOS模拟集成电路的重要性5

1.4本书的特点6

1.5电路设计的一般概念6

1.5.1抽象级别6

1.5.2鲁棒模拟电路设计7

1.5.3符号7

第2章MOS器件物理基础9

2.1基本概念9

2.1.1 MOSF ET开关9

2.1.2 MOSFET的结构9

2.1.3 MOS符号11

2.2 MOS的I/V特性11

2.2.1阈值电压12

2.2.2 I/V特性的推导13

2.3二级效应20

2.4 MOS器件模型24

2.4.1 MOS器件版图24

2.4.2 MOS器件电容25

2.4.3 MOS小信号模型28

2.4.4 MOS SPICE模型31

2.4.5 NMOS与PMOS器件的比较32

2.4.6长沟道器件与短沟道器件的比较33

附录A：用作电容器的MOS器件的特性33

习题34

第3章 单级放大器40

3.1基本概念40

3.2共源级41

3.2.1采用电阻负载的共源级41

3.2.2采用二极管连接的负载的共源级45

3.2.3采用电流源负载的共源级49

3.2.4工作在线性区的MOS为负载的共源级50

3.2.5带源极负反馈的共源级50

3.3源跟随器57

3.4共栅级64

3.5共源共栅级70

3.5.1折叠式共源共栅75

3.6器件模型的选择77

习题78

第4章 差动放大器84

4.1单端与差动的工作方式84

4.2基本差动对86

4.2.1定性分析87

4.2.2定量分析90

4.3共模响应98

4.4 MOS为负载的差动对103

4.5吉尔伯特单元105

习题108

第5章 无源与有源电流镜113

5.1基本电流镜113

5.2共源共栅电流镜116

5.3有源电流镜121

5.3.1大信号分析124

5.3.2小信号分析125

5.3.3共模特性128

习题131

第6章 放大器的频率特性138

6.1概述138

6.1.1密勒效应138

6.1.2极点与结点的关联141

6.2共源级143

6.3源跟随器147

6.4共栅级151

6.5共源共栅级153

6.6差动对155

附录A：密勒定理的对偶159

习题161

第7章 运算放大器165

7.1概述165

7.1.1性能参数166

7.2一级运放169

7.3两级运放178

7.4增益的提高180

7.5性能比较183

7.6共模反馈184

7.7输入范围限制192

7.8转换速率194

7.9电源抑制201

7.10运放的噪声202

习题205

第8章 稳定性与频率补偿210

8.1概述210

8.2多极点系统213

8.3相位裕度215

8.4频率补偿218

8.5两级运放的补偿223

8.5.1两级运放中的转换227

8.6其它补偿技术228

习题232

第9章 带隙基准235

9.1概述235

9.2与电源无关的偏置236

9.3与温度无关的基准238

9.3.1负温度系数电压239

9.3.2正温度系数电压240

9.3.3带隙基准240

9.4 PTAT电流的产生245

9.5恒定Gm偏置246

9.6速度与噪声问题247

9.7实例分析250

习题253

第10章 开关电容电路导论256

10.1概述256

10.2采样开关260

10.2.1 MOSFETs开关260

10.2.2速度问题264

10.2.3精度问题267

10.2.4电荷注入抵消269

10.3开关电容放大器271

10.3.1单位增益采样器/缓冲器271

10.3.2同相放大器277

10.3.3精确乘2电路282

10.4开关电容积分器283

10.5开关电容共模反馈285

习题286

第11章 版图与封装290

11.1版图概述290

11.1.1设计规则291

11.1.2天线效应293

11.2模拟电路的版图技术294

11.2.1叉指晶体管294

11.2.2对称性296

11.2.3参考源的分布300

11.2.4无源器件301

11.2.5连线308

11.2.6焊盘与静电放电保护311

11.3衬底耦合313

11.4封装318

习题325

原书英汉词汇对照328