图书介绍

半导体器件物理与工艺 第2版2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载

半导体器件物理与工艺 第2版
  • （美）施敏（S.M.Sze）著；赵鹤鸣等译 著
  • 出版社： 苏州：苏州大学出版社
  • ISBN：7810900153
  • 出版时间：2002
  • 标注页数：543页
  • 文件大小：59MB
  • 文件页数：557页
  • 主题词：暂缺

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图书目录

第1章　简介1

1.1　半导体器件1

1.2　半导体工艺技术7

总结13

参考文献14

第1部分　半导体物理18

第2章　热平衡时的能带和载流子浓度18

2.1　半导体材料18

2.2　基本晶体结构21

2.3　基本晶体生长技术24

2.4　共价健27

2.5　能带28

2.6　本征载流子浓度34

2.7　施主与受主37

总结44

参考文献44

习题44

第3章　载流子输运现象48

3.1　载流子漂移48

3.2　载流子扩散56

3.3　产生与复合过程59

3.4　连续性方程式65

3.5　热电子发射过程70

3.6　隧穿过程72

3.7　强电场效应74

总结79

参考文献80

习题80

第2部分　半导体器件84

第4章　p-n结84

4.1　基本工艺步骤84

4.2　热平衡状态86

4.3　耗尽区91

4.4　耗尽层势垒电容97

4.5　电流-电压特性102

4.6　电荷储存与暂态响应111

4.7　结击穿114

4.8　异质结120

总结122

参考文献123

习题123

第5章　双极型晶体管及相关器件127

5.1　晶体管的工作原理127

5.2　双极型晶体管的静态特性133

5.3　双极型晶体管的频率响应与开关特性141

5.4　异质结双极型晶体管146

5.5　可控硅器件及相关功率器件151

总结159

参考文献160

习题161

第6章　MOSFET及相关器件165

6.1　MOS二极管165

6.2　MOSFET基本原理180

6.3　MOSFET按比例缩小191

6.4　CMOS与双极型CMOS(BiCMOS)197

6.5　绝缘层上MOSFET(SOI)201

6.6　MOS存储器结构206

6.7 功率MOSFET210

总结211

参考文献212

习题213

第7章 MESFET及相关器件217

7.1 金属-半导体接触217

7.2 金半场效应晶体管（MESFET）228

7.3 调制掺杂场效应晶体管237

总结242

参考文献243

习题243

第8章　微波二极管、量子效应和热电子器件246

8.1 基本微波技术246

8.2 隧道二极管250

8.3 碰撞电离雪崩渡越时间二极管252

8.4 转移电子器件255

8.5 量子效应器件260

8.6 热电子器件265

总结269

参考文献270

习题271

第9章　光电器件273

9.1 辐射跃迁与光的吸收273

9.2 发光二极管279

9.3 半导体激光288

9.4 光探测器301

9.5 太阳能电池308

总结317

参考文献318

习题319

第3部分　半导体工艺323

第10章　晶体生长和外延323

10.1 从融体中生长单晶323

10.2 硅的悬浮区熔工艺329

10.3 砷化镓晶体的生长技术333

10.4 材料特性337

10.5 外延343

10.6 外延层的构造和缺陷351

总结354

参考文献355

习题356

第11章　薄膜淀积359

11.1 热氧化359

11.2　介质淀积366

11.3 多晶硅淀积375

11.4 金属化378

总结387

参考文献387

习题389

第12章　图形曝光与刻蚀392

12.1　光学图形曝光392

12.2 新一代图形曝光技术404

12.3 湿法化学腐蚀413

12.4 干法刻蚀418

12.5 微机电系统430

总结433

参考文献434

习题436

第13章　杂质掺杂439

13.1　基本扩散工艺439

13.2　非本征扩散447

13.3 扩散相关工艺451

13.4 注入离子的分布454

13.5 注入损伤与退火461

13.6 注入相关工艺465

总结469

参考文献470

习题471

第14章　集成器件475

14.1 无源器件475

14.2 双极型晶体管技术480

14.3 MOSFET技术487

14.4 MESFET技术503

14.5 微电子器件的挑战506

总结511

参考文献511

习题512

附录A．符号表515

附录B．国际单位制（SI Units）517

附录C．单位词头518

附录D．希腊字母519

附录E．物理常数520

附录F．300K时重要半导体材料的特性521

附录G．300K时硅和砷化镓的特性522

附录H．半导体态密度的推导523

附录I．非直接复合的复合率的推导525

附录J．对称共振隧道二极管的穿透系数的计算527

附录K．基本气体动力学529

附录L．各章部分奇数题的参考解答531

索引533

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