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第1章　微电子器件的分类与命名方法1

1.1　微电子器件的分类1

1.2　微电子器件的命名方法3

1.2.1 国产微电子器件的型号命名方法3

1.2.2　主要国家和地区半导体分立器件命名方法9

第2章　微电子器件的主要电性能参数及检测9

2.1　主要电性能参数13

2.1.1　半导体分立器件13

2.1.2　集成电路19

2.2　微电子器件的检测24

2.2.1　微电子器件的检验规则24

2.2.2　半导体分立器件的测试25

2.2.3　集成电路的测试41

2.3　微电子器件测试仪器52

2.3.1 分立器件的测试仪器——STS 8103A半导体分立器件测试系统61

2.3.2　集成电路的测试仪器61

第3章　微电子器件的二次筛选65

3.1 电子元器件筛选的目的与要求65

3.2　确定元器件筛选程序的依据65

3.3　筛选程序65

3.4　筛选试验项目65

3.4.1　高温存贮试验筛选（稳定性烘焙）65

3.4.2　电老炼筛选67

3.4.3　温度循环试验筛选74

3.4.4　密封检漏筛选76

3.4.5　晶体管热敏参数快速筛选试验83

3.4.6　粒子碰撞噪声检测试验筛选（PIND试验）85

3.5　筛选试验的利弊分析87

3.5.1　筛选付出的代价87

3.5.2　元器件二次筛选的局限性和风险性87

3.5.3　对主要筛选试验项目的分析88

3.6　筛选程序规范及举例90

3.6.1　对军用半导体分立器件的筛选试验要求91

3.6.2　对军用集成电路的筛选试验要求96

3.6.3　筛选程序举例98

3.7　筛选试验设备99

3.7.1　SPZH-T高温分立器件综合老炼检测系统100

3.7.2　SPJT-G大功率晶体管老炼筛选系统102

3.7.3　SPDC-T DC/DC电源高温老炼检测系统104

第4章 电子元器件的选择与控制107

4.1　微电子器件的质量等级107

4.2 电子元器件的失效率等级112

4.3　“七专”元器件113

4.4　元器件的选择规则114

4.5　电子元器件的质量控制116

4.5.1　制定元器件可靠性保障大纲116

4.5.2　对电子物资部门的要求117

4.5.3　研制整机电子元器件的质量控制118

第5章　微电子器件的可靠性应用121

5.1 电浪涌对器件造成的损伤与防范121

5.1.1　接通电容性负载时产生的浪涌电流122

5.1.2　断开电感性负载时产生的浪涌电压122

5.1.3　驱动白炽灯时产生的浪涌电流125

5.1.4　数字集成电路开关工作时产生的电流浪涌125

5.1.5　直流稳压电源引起的浪涌127

5.1.6　接地不当导致器件损坏128

5.1.7　TTL电路防浪涌干扰的应用128

5.2　噪声对微电子器件的影响131

5.2.1 对接地不良引起噪声的防范131

5.2.2　对静电耦合和电磁耦合产生噪声的防范133

5.2.3　对反射引起噪声的防范134

5.3　温度对微电子器件的影响134

5.4　机械过应力对器件的损伤135

5.4.1 引线的形成与切断135

5.4.2　在印制板上安装器件136

5.4.3　焊接137

5.4.4　器件在整机系统中的布局设计138

5.4.5　运输138

5.5　微电子器件的降额使用139

5.5.1　微电子器件最大额定值的概念139

5.5.2　合理降额139

5.5.3　在降额使用时应注意的问题152

5.6　微电子器件的抗辐射应用153

5.6.1　抗辐射加固在电子整机系统的器件选择153

5.6.2　电子整机系统中的抗辐射措施155

5.7　常用集成电路应遵守的一般规则157

5.8　集成稳压器的应用与安全保护158

5.8.1　集成稳压器的保护电路158

5.8.2　使用中的安全保护159

第6章　失效分析162

6.1　失效分析所具备的基本条件162

6.1.1　专业分析人员162

6.1.2　分析设备及相关测试仪器162

6.1.3　失效分析环境条件要求163

6.2　微电子器件失效分析的一般程序163

6.2.1　开封前164

6.2.2　开封后165

6.3　微电子器件失效模式与失效机理分析165

6.3.1　微电子器件的制造工艺概述165

6.3.2　工艺缺陷技术术语简介166

6.3.3　失效模式与失效机理167

6.4　失效机理分析168

6.4.1　表面失效机理分析169

6.4.2　体内失效机理分析170

6.4.3　电极系统及封装的失效机理分析174

6.5　利用测试特性曲线进行分析176

6.5.1　PN结特性曲线176

6.5.2　晶体管异常输出特性曲线179

6.5.3　测试IC管脚电特性分析失效原因181

第7章　静电对微电子器件的危害与防范185

7.1　静电的危害185

7.1.1　静电效应185

7.1.2　静电的危害186

7.1.3　静电对电子产品的损害形式187

7.2　静电敏感器件（SSD）的分级188

7.2.1　静电放电敏感度的分类188

7.2.2　人体带电模型191

7.3　静电的防护193

7.3.1　建立安全工作区193

7.3.2　静电接地技术及其应用194

7.3.3　静电防护的基本要求195

7.3.4　静电的防护措施197

7.4　防静电保护200

7.4.1　防静电保护元件200

7.4.2　防静电器材202

第8章　半导体二极管204

8.1 整流二极管204

8.1.1　1N系列整流二极管204

8.1.2　2DP系列整流二极管205

8.1.3　快速恢复整流二极管205

8.2　稳压二极管206

8.2.1　2CW37系列稳压二极管206

8.2.2　2CW系列稳压二极管208

8.2.3　1N系列玻封硅稳压二极管209

8.3　开关二极管210

8.3.1　2CK系列硅开关二极管210

8.3.2　1N系列开关二极管212

8.4　微波二极管213

8.4.1 简介213

8.4.2　点接触二极管主要特性参数214

8.4.3　肖特基势垒二极管216

8.4.4　PIN二极管229

8.4.5　体效应二极管236

8.4.6　变容二极管239

8.5　点接触二极管247

第9章　半导体三极管249

9.1　半导体三极管的结构249

9.2 半导体三极管的分类249

9.3 半导体三极管的工作原理249

9.4　半导体三极管的特性曲线251

9.5 中小功率三极管252

9.6　开关三极管258

9.7　高反压三极管269

9.8　大功率三极管273

9.9　低噪声三极管282

9.10　双三极管283

9.11　达林顿晶体管285

第10章　集成电路287

10.1　数字集成电路287

10.1.1　CMOS电路主要性能参数287

10.1.2　数字集成电路外引线排列图300

10.2　模拟集成电路300

10.2.1 常用集成运算放大器主要性能参数301

10.2.2　集成运算放大器的封装形式及引脚排列303

10.2.3　运算放大器基本应用电路304

参考文献309