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第一章 概论1

1.1 硅及其氧化物的性质2

1.2 平面工艺前硅材料的关键性发明创造5

1.3 平面工艺后的发展10

1.4 硅材料与器件的关系28

第二章 晶体结构43

2.1 硅原子43

2.2 硅晶体中的化学键44

2.3 硅的晶体结构47

2.4 晶列和晶向指数50

2.5 晶面和晶面指数51

2.6 晶面（晶向）间的夹角54

2.7 面间距与面密度54

2.8 硅点阵中的间隙位置58

2.9 极射赤面投影58

2.10 晶体的对称性62

2.11 晶体的各向异性73

2.12 倒格子78

2.13 能带79

第三章 相图80

3.1 相律86

3.2 单元相图88

3.3 固态无限互溶的二元相图89

3.4 杠杆定则91

3.5 二元共晶相图92

3.6 包晶反应的二元相图99

3.7 同成分转变100

3.8 固溶度111

第四章 晶体生长115

4.1 晶核的形成与长大115

4.2 生长方法概述127

4.3 CZ法129

4.4 FZ法158

4.5 掺杂172

4.6 生长界面178

4.7 无位错生长194

4.8 新的晶体生长方法196

第五章 分凝212

5.1 分凝系数212

5.2 分凝热力学215

5.3 稳态分凝218

5.4 BPS关系219

5.5 直拉晶体中杂质的宏区轴向分布223

5.6 区熔晶体中杂质的宏区轴向分布231

5.7 非稳态分凝249

5.8 非稳态分凝的实验技术252

5.9 旋转条纹253

5.10 非旋转条纹259

5.11 （111）小面效应260

第六章 中子嬗变掺杂268

6.1 原理与历史268

6.2 过程控制272

6.3 放射性277

6.4 NTD硅的电学与结构特性280

第七章 外延284

7.1 处延的分类285

7.2 化学过程287

7.3 质量输运293

7.4 掺杂299

7.5 自掺杂304

7.6 固相外扩散315

7.7 埋层320

7.8 外延缺陷325

7.9 气相腐蚀327

7.10 外延设备329

7.11 底压外延333

7.12 分子束外延338

7.13 异质外延345

第八章 杂质的行为360

8.1 浅能级杂质360

8.2 深能级杂质370

8.3 杂质的固溶度与分凝系数的关系381

8.4 硅中氧的基本性质382

8.5 氧施主388

8.6 氧沉淀398

8.7 碳与氮411

第九章 晶体缺陷430

9.1 位错431

9.2 旋涡缺陷487

9.3 工艺诱生缺陷497

9.4 吸杂516