图书介绍
半导体材料 锗硅部分2025|PDF|Epub|mobi|kindle电子书版本百度云盘下载
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- 北京大学物理系,半导体物理教研室编 著
- 出版社: 北京:人民教育出版社
- ISBN:K13010·814
- 出版时间:1961
- 标注页数:186页
- 文件大小:13MB
- 文件页数:190页
- 主题词:
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图书目录
第一章 锗和硅的化学制备1
§1.锗的资源2
§2.锗的富集和制取3
§3.硅的资源和制取8
§4.硅的化学提纯9
第二章 锗、硅的区域提纯20
§5.分凝现象21
§6.正常凝固27
§7.区域提纯原理35
§8.锗的区域提纯44
§9.硅的区域提纯58
第三章 锗、硅单晶制备69
§10.单晶的生长70
§11.锗单晶的制备75
§12.硅单晶的制备92
§13.影响单晶生长的因素97
§14.单晶生长中杂质的分布与控制102
§15.单晶中的缺陷126
第四章 材料的测试135
§16.用热探针测量半导体的导电类型137
§17.电阻率的测量139
§18.霍尔系数的测量148
§19.寿命的测量153
§20.用劳埃相的方法确定晶向169
§21.位错的观察178
附录181
参考文献186
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